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C3M0160120K1

Name: Wolfspeed C3M0160120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0160120K1
Price: 31.39 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-C3M0160120K1

Fabricante N.º:

C3M0160120K1

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Hoja de datos:

C3M0160120K1 Hoja de datos (PDF)

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	S/18.10	S/181.00
	S/15.14	S/1,816.80
	S/13.03	S/6,645.30

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4LP
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	17.9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	280 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.8 V
Qg - Carga de puerta:	32 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	103 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4.6 S
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	9 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	13 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns

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Hoja de datos

C3M0160120K1 Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-02 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de SiC de 1,200 V y bajo perfil TO-247-4

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de 1,200 V y bajo perfil TO-247-4 de Wolfspeed cuentan con conmutación de alta velocidad con capacitancias bajas y alto voltaje de bloqueo con baja resistencia ON. Estos MOSFET de potencia reducen las pérdidas de conmutación y los requisitos de enfriamiento, además de minimizar las oscilaciones en la puerta. Los MOSFET de potencia de SiC de 1,200 V incorporan un diodo intrínseco rápido con bajo nivel de recuperación inversa (Q_rr). Estos MOSFET de potencia aumentan la densidad de potencia y la frecuencia de conmutación del sistema. Los MOSFETs de potencia de SiC de 1200V vienen en paquetes optimizados con pines de fuente de driver separados y están disponibles en un cuerpo de paquete TO-247-4 de perfil bajo. Estos MOSFET de potencia no contienen halógenos y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen el control de motores, cargadores de batería de vehículos eléctricos, convertidores DC/DC de alto voltaje, sistemas de almacenamiento de energía (ESS) solar, PSU empresariales y UPS.

MOSFET de potencia de carburo de silicio 1,200 V

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1,200 V de Wolfspeed marcan el estándar en cuanto a rendimiento, resistencia y facilidad de diseño. Los MOSFET de Wolfspeed cuentan con capacidades de conmutación rápida y de baja pérdida, lo que garantiza una mejora significativa en la eficiencia del sistema, la densidad de potencia y el costo general de BOM en comparación con los MOSFET de silicio e IGBT existentes.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.