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BUK9K52-60RAX

Name: Nexperia BUK9K52-60RAX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK9K52-60RAX
Price: 5.89 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-BUK9K52-60RAX

Fabricante N.º:

BUK9K52-60RAX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 16A

Hoja de datos:

BUK9K52-60RAX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/-.--

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/5.89	S/5.89
	S/4.69	S/46.90
	S/3.20	S/320.00
	S/2.78	S/1,390.00
	S/2.47	S/2,470.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/1.43	S/2,145.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-56D-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	16 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	55 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	5.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	32 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10.1 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	10.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.2 ns
Alias de las piezas n.º:	934662538115

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

ASFET para avalancha repetitiva

Los ASFET para avalancha repetitiva de Nexperia ofrecen un voltaje máximo de drenaje a fuente de 40 V_DS a 60 V_DS, rango de corriente de drenaje de 16 I_D a 40 I_D y carga de puerta a drenaje de 7.9 _GD. Los ASFET cuentan con completa calificación automotriz para AEC-Q101 y ofrecen alta solidez, confiabilidad y tecnología de paquete clip de cobre LFPAK. Los ASFET para avalancha repetitiva de Nexperia son ideales para sistemas automotrices de 12 V, 24 V y 48 V, topologías de avalancha repetitiva y aplicaciones de control de motores.

Automotive ASFETs

Nexperia Automotive ASFETs are Application-Specific MOSFETs optimized for specific use cases. As designers push the boundaries of application performance, it is increasingly crucial to understand how the MOSFET will be used in the application. In the past, a standard power switch with a given Figure of Merit (R_DS(on) x Q_g) would essentially work in any application. However, to address specific application requirements or functionality, optimizing a set of MOSFET parameters is increasingly necessary to match those requirements. For example, applications may require enhanced linear mode performance or repetitive avalanche functionality. Nexperia combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range of Application-Specific MOSFETs.