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BFU530R

Name: NXP BFU530R
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-BFU530R
Price: 2.88 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-BFU530R

Fabricante N.º:

BFU530R

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

BFU530R Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/2.88	S/2.88
	S/1.79	S/17.90
	S/1.53	S/153.00
	S/1.01	S/505.00
	S/0.899	S/899.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.572	S/1,716.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Serie:	BFU530
Tipo de transistor:	Bipolar Wideband
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	NPN
Frecuencia de trabajo:	11 GHz
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	60
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	12 V
Voltaje VEBO emisor-base:	2 V
Corriente continua del colector:	40 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Configuración:	Single
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-143B-4
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	NXP Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente CC máxima de colector:	65 mA
Potencia de salida:	10 dBm
Dp - Disipación de potencia :	450 mW
Tipo de producto:	RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934067703215
Peso de la unidad:	9 mg

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Hoja de datos

BFU530R Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors

NXP Semiconductors BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors are AEC-Q101 qualified, low noise, high breakdown RF transistors suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz. Offering exceptional performance, BFU5x RF Transistors generate 20dB of maximum gain and a noise figure of 0.7dB at 900MHz. These devices allow for better signal reception at low to medium power and enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments. When used as (low-noise) amplifiers or oscillators, BFU5x RF Transistors support high supply voltages and high breakdown voltages. This makes these devices well-suited for automotive, communication, and industrial applications. The product family is available in a wide range of industry-standard packages, including SOT323, SOT23, and SOT143.