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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 122

Filtros aplicados:

Marca = YAGEO XSemi

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V -18.5A 10mOhm PMPAK5x6

XP3P010AMT
YAGEO XSemi
1: S/3.61
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP3P010AMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P010AMT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V -18.5A 10mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/3.61

S/2.23

S/1.52

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.856

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V 10mOhm TO-252

XP3P010H
YAGEO XSemi
1: S/3.70
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP3P010H

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P010H

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V 10mOhm TO-252

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/3.70

S/2.26

S/1.49

S/1.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V -22A 7mOhm PMPAK5x6

XP3P7R0EMT
YAGEO XSemi
1: S/4.21
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP3P7R0EMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P7R0EMT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -30V -22A 7mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/4.21

S/2.63

S/1.72

S/1.32

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Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 20.7A 4.5mohm PMPAK-3x3

XP4024EYT
YAGEO XSemi
1: S/2.92
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP4024EYT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4024EYT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 20.7A 4.5mohm PMPAK-3x3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/2.92

S/1.79

S/1.15

S/0.882

Envase tipo carrete

S/0.667

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 13.7A 12mOhm PMPAK3x3

XP4438GYT
YAGEO XSemi
1: S/2.15
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP4438GYT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4438GYT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 13.7A 12mOhm PMPAK3x3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/2.15

S/1.57

S/0.98

S/0.675

Envase tipo carrete

S/0.464

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 20.7A 4.2mOhm PMPAK5x6

XP4N4R2MT
YAGEO XSemi
1: S/3.74
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP4N4R2MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4N4R2MT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 20.7A 4.2mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/3.74

S/2.29

S/1.51

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.851

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 45A 1.5mohm SPPAK-5x6

XP4NA1R5HCST
YAGEO XSemi
3,000: S/1.98
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP4NA1R5HCST

N.º de artículo de Mouser
603-XP4NA1R5HCST

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 45A 1.5mohm SPPAK-5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.98

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 36.5A 2.28mohm SPPAK-5x6

XP4NA2R2HCST
YAGEO XSemi
3,000: S/1.44
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP4NA2R2HCST

N.º de artículo de Mouser
603-XP4NA2R2HCST

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 36.5A 2.28mohm SPPAK-5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/1.44

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 61.4A 0.85mohm PMPAK5x6

XP4NAR85CMT
YAGEO XSemi
3,000: S/2.23
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP4NAR85CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4NAR85CMT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 40V 61.4A 0.85mohm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.23

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 500V 290mohm TO-252(H)

XP50SL290DH
YAGEO XSemi
1: S/9.80
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP50SL290DH

N.º de artículo de Mouser
603-XP50SL290DH

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 500V 290mohm TO-252(H)

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/9.80

S/6.28

S/4.26

S/3.56

S/3.13

Envase tipo carrete

S/3.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 95mohm TO-247

XP60BM095WL
YAGEO XSemi
3,000: S/9.07
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP60BM095WL

N.º de artículo de Mouser
603-XP60BM095WL

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 95mohm TO-247

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/9.07

Min.: 3,000
Mult.: 30

Carrete: 30

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 290mohm TO-220CFM-T

XP60SA290DIT
YAGEO XSemi
3,000: S/3.43
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP60SA290DIT

N.º de artículo de Mouser
603-XP60SA290DIT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 290mohm TO-220CFM-T

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/3.43

Min.: 3,000
Mult.: 50

Carrete: 50

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 380mohm TO-220CFM-T

XP60SA380DIT
YAGEO XSemi
3,000: S/2.74
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP60SA380DIT

N.º de artículo de Mouser
603-XP60SA380DIT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 380mohm TO-220CFM-T

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/2.74

Min.: 3,000
Mult.: 50

Carrete: 50

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 380mohm TO-252

XP60SC380DH
YAGEO XSemi
3,000: S/1.99
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP60SC380DH

N.º de artículo de Mouser
603-XP60SC380DH

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 600V 380mohm TO-252

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/1.99

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 650V 74mohm TO-247

XP65SA074FWL
YAGEO XSemi
3,000: S/13.16
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP65SA074FWL

N.º de artículo de Mouser
603-XP65SA074FWL

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 650V 74mohm TO-247

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/13.16

Min.: 3,000
Mult.: 30

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N + N 30V/30V 14.2A/22.9A 5.5mohm/2.5mohm PMPAK-5x6

XP6932MT
YAGEO XSemi
3,000: S/1.46
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP6932MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6932MT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N + N 30V/30V 14.2A/22.9A 5.5mohm/2.5mohm PMPAK-5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.46

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 60V 6.7A 38mohm PMPAK-5x6

XP6A038MT
YAGEO XSemi
1: S/3.66
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP6A038MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6A038MT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 60V 6.7A 38mohm PMPAK-5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/3.66

S/2.24

S/1.47

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.834

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 21.7A 6mOhm PMPAK5x6L

XP6NA6R0CMT-L
YAGEO XSemi
3,000: S/1.11
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA6R0CMT-L

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA6R0CMT-L

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 21.7A 6mOhm PMPAK5x6L

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/1.11

S/1.09

S/1.05

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 21.6A 6.3mOhm PMPAK5x6

XP6NA6R3MT
YAGEO XSemi
3,000: S/1.27
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA6R3MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA6R3MT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 21.6A 6.3mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.27

S/1.23

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 18.5A 8mOhm SPPAK5x6

XP6NA8R0CST
YAGEO XSemi
1: S/4.39
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA8R0CST

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA8R0CST

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 60V 18.5A 8mOhm SPPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/4.39

S/2.72

S/1.77

S/1.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -60V 25mohm TO-252

XP6P025H
YAGEO XSemi
3,000: S/1.51
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP6P025H

N.º de artículo de Mouser
603-XP6P025H

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -60V 25mohm TO-252

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.51

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 80V 28.2A 3.5mOhm PMPAK5x6

XP8N3R5CMT
YAGEO XSemi
3,000: S/2.41
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP8N3R5CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP8N3R5CMT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 80V 28.2A 3.5mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.41

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

53 mA
200 mA
1.6 A
2.5 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.9 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.4 A
5.5 A, 7.8 A
5.8 A
6.1 A, 8.7 A
6.4 A
7.3 A, 11 A

950 uOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.4 mOhms
2.55 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.88 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
5 mOhms

700 pC
2.3 nC
2.5 nC
5 nC
5 nC, 5.8 nC
5 nC, 6 nC
5.2 nC, 6 nC
5.3 nC
5.5 nC
6.5 nC
7.2 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11 nC, 32 nC
12 nC
14 nC
14.5 nC