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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 122

Filtros aplicados:

Marca = YAGEO XSemi

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 2.5A SOT-23S

XP6N090N
YAGEO XSemi
1: S/1.29
1,808En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6N090N

N.º de artículo de Mouser
603-XP6N090N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 2.5A SOT-23S

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1,808En existencias

Cinta cortada

S/1.29

S/0.783

S/0.49

S/0.361

Envase tipo carrete

S/0.241

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23S-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2.5 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -60V -1. 6A SOT-23S

XP6P250N
YAGEO XSemi
1: S/1.29
1,785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6P250N

N.º de artículo de Mouser
603-XP6P250N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -60V -1. 6A SOT-23S

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1,785En existencias

Cinta cortada

S/1.29

S/0.80

S/0.503

S/0.37

Envase tipo carrete

S/0.232

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

P-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1 A SOT-23

XP10TN135N
YAGEO XSemi
1: S/2.45
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN135N

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN135N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1 A SOT-23

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5En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/2.45

S/1.71

S/1.07

S/0.735

Envase tipo carrete

S/0.374

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3 A

135 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3700MT
YAGEO XSemi
1: S/2.84

N.º de artículo del Fabricante
XP3700MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3700MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

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Cinta cortada

S/2.84

S/1.75

S/1.13

S/0.856

Envase tipo carrete

S/0.632

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

7.3 A, 11 A

18 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V, 2 V

5.2 nC, 6 nC

- 55 C

+ 150 C

3.57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 11A 11mOhm SO-8

XP10N011LM
YAGEO XSemi
3,000: S/1.16
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP10N011LM

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603-XP10N011LM

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 11A 11mOhm SO-8

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S/1.16

S/1.10

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 24mOhm TO-252

XP10N024H
YAGEO XSemi
1: S/3.61
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP10N024H

N.º de artículo de Mouser
603-XP10N024H

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 24mOhm TO-252

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Cinta cortada

S/3.61

S/2.23

S/1.52

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.856

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 3.88mOhm TO-263

XP10N3R8S
YAGEO XSemi
4,000: S/2.89
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP10N3R8S

N.º de artículo de Mouser
603-XP10N3R8S

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 3.88mOhm TO-263

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Cinta cortada

S/2.89

Min.: 4,000
Mult.: 800

Carrete: 800

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 15.5A 11mOhm PMPAK5x6

XP10NA011MT
YAGEO XSemi
1: S/4.47
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA011MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA011MT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 15.5A 11mOhm PMPAK5x6

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Cinta cortada

S/4.47

S/2.79

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17.7A 8.2mOhm PMPAK5x6

XP10NA8R2LMT
YAGEO XSemi
3,000: S/1.41
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA8R2LMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA8R2LMT

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YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17.7A 8.2mOhm PMPAK5x6

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Envase tipo carrete

S/1.41

S/1.40

Min.: 3,000
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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 8.4mOhm TO-252

XP10NA8R4H
YAGEO XSemi
3,000: S/1.40
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA8R4H

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA8R4H

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YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 8.4mOhm TO-252

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S/1.40

S/1.38

Min.: 3,000
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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17.8A 8.4mOhm PMPAK5x6

XP10NA8R4MT
YAGEO XSemi
3,000: S/1.80
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA8R4MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA8R4MT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17.8A 8.4mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.80

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 20A 6.9mOhm SPPAK-5x6

XP10NB6R9CST
YAGEO XSemi
3,000: S/2.28
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP10NB6R9CST

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NB6R9CST

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 20A 6.9mOhm SPPAK-5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.28

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -100V -3.4A 135mohm PMPAK-3x3

XP10P135YT
YAGEO XSemi
3,000: S/2.81
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP10P135YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10P135YT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -100V -3.4A 135mohm PMPAK-3x3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.81

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17A 10mOhm PMPAK5x6

XP10TN010CMT
YAGEO XSemi
3,000: S/1.81
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN010CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN010CMT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17A 10mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.81

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 3.9mOhm TOLL

XP15NA3R9TL
YAGEO XSemi
2,000: S/10.36
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP15NA3R9TL

N.º de artículo de Mouser
603-XP15NA3R9TL

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 3.9mOhm TOLL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/10.36

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 3.9mOhm TOLL

XP15NA4R4TL
YAGEO XSemi
2,000: S/8.90
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP15NA4R4TL

N.º de artículo de Mouser
603-XP15NA4R4TL

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 3.9mOhm TOLL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/8.90

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 16.1A 9.3mOhm PMPAK5x6X

XP15NA9R3CXT
YAGEO XSemi
3,000: S/2.88
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP15NA9R3CXT

N.º de artículo de Mouser
603-XP15NA9R3CXT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 16.1A 9.3mOhm PMPAK5x6X

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.88

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 30V 12A 10.4mohm PMPAK-5x6

XP3A010AMT
YAGEO XSemi
1: S/3.70
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP3A010AMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3A010AMT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 30V 12A 10.4mohm PMPAK-5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/3.70

S/2.26

S/1.49

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.843

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 30V 7.8A 20mohm SO-8

XP3A020M
YAGEO XSemi
1: S/2.24
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP3A020M

N.º de artículo de Mouser
603-XP3A020M

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 30V 7.8A 20mohm SO-8

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/2.24

S/1.35

S/0.877

S/0.645

Envase tipo carrete

S/0.486

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 43.3A 1.7mohm PMPAK5x6

XP3N1R7CMT
YAGEO XSemi
3,000: S/1.30
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP3N1R7CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N1R7CMT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 43.3A 1.7mohm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.30

S/1.27

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 24.7A 5mOhm PMPAK5x6

XP3N5R0MT
YAGEO XSemi
1: S/3.01
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP3N5R0MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N5R0MT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 24.7A 5mOhm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/3.01

S/1.84

S/1.25

S/0.899

Envase tipo carrete

S/0.649

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 19.5A 5mOhm PMPAK3x3

XP3N5R0YT
YAGEO XSemi
1: S/2.49
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP3N5R0YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N5R0YT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 19.5A 5mOhm PMPAK3x3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/2.49

S/1.53

S/1.03

S/0.744

Envase tipo carrete

S/0.555

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 17.7A 9.5mohm PMPAK5x6

XP3N9R5MT
YAGEO XSemi
1: S/3.05
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP3N9R5MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N9R5MT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 17.7A 9.5mohm PMPAK5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/3.05

S/1.87

S/1.20

S/0.933

Envase tipo carrete

S/0.697

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 21.5A 4.2mohm PMPAK-3x3

XP3NA4R2YT
YAGEO XSemi
1: S/2.97
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP3NA4R2YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3NA4R2YT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 21.5A 4.2mohm PMPAK-3x3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/2.97

S/1.82

S/1.17

S/0.89

Envase tipo carrete

S/0.611

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 60A 0.85mohm PMPAK-5x6

XP3NR85CMT
YAGEO XSemi
3,000: S/1.76
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XP3NR85CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3NR85CMT

Nuevo producto

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 30V 60A 0.85mohm PMPAK-5x6

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.76

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

53 mA
200 mA
1.6 A
2.5 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.9 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.4 A
5.5 A, 7.8 A
5.8 A
6.1 A, 8.7 A
6.4 A
7.3 A, 11 A

950 uOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.4 mOhms
2.55 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.88 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
5 mOhms

700 pC
2.3 nC
2.5 nC
5 nC
5 nC, 5.8 nC
5 nC, 6 nC
5.2 nC, 6 nC
5.3 nC
5.5 nC
6.5 nC
7.2 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11 nC, 32 nC
12 nC
14 nC
14.5 nC