Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSSOP8 NPCH 20V 5.7A
SI6562CDQ-T1-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSSOP8 NPCH 20V 5.7A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJQ144AER-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD 33V BI
VCAN33C2-03GHE3-08
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD 33V BI
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD 36V BI
VCAN36C2-03G-E3-08
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD 36V BI
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Optoacopladores de salida de fotodiodo SMD-8 Option 9 Linear Optocoupler, AEC-Q101 Qualified
VOA300-FG-X019T
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Optoacopladores de salida de fotodiodo SMD-8 Option 9 Linear Optocoupler, AEC-Q101 Qualified
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 6A SM POWER SIC
VS-3C06ET07S2L-M3
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 6A SM POWER SIC
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM POWER SIC
VS-3C10ET07S2L-M3
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM POWER SIC
1,419 En existencias
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S/6.84
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S/6.84
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Rectificadores RECT 600V 60A RDL HYPER FST
VS-C5PW6006LHN3
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922 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-VS-C5PW6006LHN3
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Rectificadores RECT 600V 60A RDL HYPER FST
922 En existencias
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Rectificadores RECT 600V 15A RDL HYPER FST
VS-E5TW1506FP-N3
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N.º de artículo de Mouser 78-VS-E5TW1506FP-N3
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Rectificadores RECT 600V 15A RDL HYPER FST
2,026 En existencias
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S/7.31
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S/2.82
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Rectificadores 400 Volt 4.0A 50ns 125 Amp IFSM
MUR460-E3/73
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Rectificadores 400 Volt 4.0A 50ns 125 Amp IFSM
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S/1.87
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Rectificadores y diodos Schottky 30 Amp 200 Volt
VB30200C-E3/8W
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18,444 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky 30 Amp 200 Volt
18,444 En existencias
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S/5.20
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Rectificadores 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
BY228TAP
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Rectificadores 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
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Circuitos integrados de interruptor analógico Quad SPST QFN 4x4mm
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DG1412EEN-T1-GE4
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Circuitos integrados de interruptor analógico Quad SPST QFN 4x4mm
7,786 En existencias
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S/28.90
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S/22.02
25
S/20.81
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S/18.96
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S/16.04
250
S/18.10
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S/16.51
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S/16.04
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Circuitos integrados de interruptor analógico Quad SPST TSSOP-16
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DG1413EEQ-T1-GE4
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S/29.71
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N.º de artículo de Mouser 78-DG1413EEQ-T1-GE4
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Circuitos integrados de interruptor analógico Quad SPST TSSOP-16
7,156 En existencias
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S/29.71
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S/22.92
25
S/21.20
100
S/19.35
250
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S/16.34
250
S/18.45
500
S/17.89
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S/16.81
3,000
S/16.34
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Diodos Zener 12 Volt 0.3 Watt 5%
DZ23C12-E3-18
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S/0.731
295,816 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-DZ23C12-E3-18
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Diodos Zener 12 Volt 0.3 Watt 5%
295,816 En existencias
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S/0.731
10
S/0.495
100
S/0.383
1,000
S/0.357
2,500
Ver
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S/0.301
2,500
S/0.314
5,000
S/0.301
10,000
S/0.301
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3424CDV-T1-GE3
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351,343 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI3424CDV-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
351,343 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.99
10
S/3.44
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S/2.18
500
S/1.35
3,000
S/0.882
6,000
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S/0.998
6,000
S/0.765
9,000
S/0.671
24,000
S/0.611
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
SIDR668DP-T1-GE3
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S/18.53
52,004 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIDR668DP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
52,004 En existencias
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S/18.53
10
S/12.08
100
S/9.46
500
S/7.96
1,000
S/7.35
3,000
S/6.88
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
SIHD2N80E-GE3
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S/9.16
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N.º de artículo de Mouser 78-SIHD2N80E-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
65,056 En existencias
1
S/9.16
10
S/5.81
100
S/3.87
500
S/3.17
1,000
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1,000
S/2.81
3,000
S/2.66
6,000
S/2.52
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
SIHP100N60E-GE3
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N.º de artículo de Mouser 78-SIHP100N60E-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
14,555 En existencias
1
S/21.89
10
S/11.40
100
S/10.41
500
S/9.20
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIRC18DP-T1-GE3
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S/9.89
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N.º de artículo de Mouser 78-SIRC18DP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
42,989 En existencias
1
S/9.89
10
S/6.36
100
S/4.34
500
S/3.45
1,000
S/3.35
3,000
S/3.13
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Circuitos integrados de interruptor analógico Hi-Volt Quad SPST
+1 imagen
DG453EQ-T1-E3
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1:
S/15.95
12,219 En existencias
N.º de artículo de Mouser 781-DG453EQ-E3
Vishay Semiconductors
Circuitos integrados de interruptor analógico Hi-Volt Quad SPST
12,219 En existencias
1
S/15.95
10
S/10.84
25
S/10.02
100
S/8.69
3,000
S/5.38
6,000
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250
S/8.17
500
S/7.14
1,000
S/5.93
6,000
S/5.20
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23
+2 imágenes
SI2309CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.48
119,660 En existencias
N.º de artículo de Mouser 781-SI2309CDS-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23
119,660 En existencias
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1
S/3.48
10
S/2.17
100
S/1.41
500
S/1.08
3,000
S/0.826
6,000
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1,000
S/0.968
6,000
S/0.761
9,000
S/0.748
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3438DV-T1-GE3
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1:
S/7.05
32,987 En existencias
N.º de artículo de Mouser 781-SI3438DV-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs TSOP-6
32,987 En existencias
1
S/7.05
10
S/4.52
100
S/2.99
500
S/2.36
1,000
S/2.15
3,000
S/1.97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
+2 imágenes
SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.00
81,043 En existencias
N.º de artículo de Mouser 781-SI4948BEY-T1-E3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
81,043 En existencias
1
S/8.00
10
S/5.12
100
S/3.43
500
S/2.71
1,000
S/2.50
2,500
S/2.33
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SI7119DN-T1-GE3
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1:
S/7.87
90,710 En existencias
N.º de artículo de Mouser 781-SI7119DN-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
90,710 En existencias
1
S/7.87
10
S/4.90
100
S/3.20
500
S/2.46
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S/2.02
6,000
Ver
1,000
S/2.22
6,000
S/1.90
9,000
S/1.84
24,000
S/1.78
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