NVMFS5C670NWFT1G

onsemi
863-NVMFS5C670NWFT1G
NVMFS5C670NWFT1G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

Modelo ECAD:
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En existencias: 3,000

Existencias:
3,000 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 12.47 S/ 12.47
S/ 8.08 S/ 80.80
S/ 5.59 S/ 559.00
S/ 4.60 S/ 2,300.00
S/ 4.30 S/ 4,300.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
S/ 4.30 S/ 6,450.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: NVMFS5C670N
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 187 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.