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NTK3134NT5G

Name: onsemi NTK3134NT5G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTK3134NT5G
Price: 1.29 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTK3134NT5G

Fabricante N.º:

NTK3134NT5G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/6V N CH T1

Hoja de datos:

NTK3134NT5G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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S/ -.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 8000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/ 23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/ 1.29	S/ 1.29
	S/ 0.817	S/ 8.17
	S/ 0.507	S/ 50.70
	S/ 0.37	S/ 185.00
	S/ 0.288	S/ 288.00
	S/ 0.245	S/ 1,225.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 8000)
	S/ 0.198	S/ 1,584.00

† S/ 23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-723-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	890 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	200 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	450 mV
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	550 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	TW
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.8 ns
Serie:	NTK3134N
Cantidad de empaque de fábrica:	8000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.7 ns
Peso de la unidad:	1.275 mg

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Hoja de datos

NTK3134NT5G Hoja de datos

PCN

SPICE Models

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

NTK3134N & NTK3139P Power MOSFETs

Power MOSFETs with ESD protection provide optimal performance in space-saving packages for portable applications.

NTK3134N Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NTK3134N Single N-Channel Power MOSFETs with ESD protection are robust MOSFETs optimized for high-efficiency switching applications. Encased in a compact 3-lead SOT-723 package, the onsemi NTK3134N components deliver a low R_DS(on)of 0.20Ω at 4.5V, minimizing conduction losses and enhancing thermal performance. With a drain-source voltage rating of 20V and a steady-state continuous drain current capability of 890mA (maximum), the NTK3134N MOSFETs are ideal for use in portable electronics, DC-DC converters, and load switch circuits. Fast switching speeds and low gate charge contribute to reduced power consumption and improved overall system efficiency, making these MOSFETs a reliable choice for space-constrained, power-sensitive designs.