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NCV57091CDWR2G

Name: onsemi NCV57091CDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57091CDWR2G
Price: 14.32 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NCV57091CDWR2G

Fabricante N.º:

NCV57091CDWR2G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Controladores de puertas ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE

Hoja de datos:

NCV57091CDWR2G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/14.32	S/14.32
	S/10.75	S/107.50
	S/9.89	S/247.25
	S/8.90	S/890.00
	S/8.43	S/2,107.50
	S/8.17	S/4,085.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/7.87	S/7,870.00
	S/7.57	S/15,140.00
	S/7.40	S/37,000.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Serie:	NCD57090
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs

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Hoja de datos

NCV57091CDWR2G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

NCx57091 IGBT/MOSFET Gate Drivers

onsemi NCx57091 IGBT/MOSFET Gate Drivers are high-current single-channel drivers with 5kV_RMS internal galvanic isolation. These drivers accept complementary inputs and offer options such as active miller clamp, negative power supply, and separate high/low driver outputs for system design convenience. The IGBT/MOSFET gate drivers accommodate a wide range of input bias voltage and signal levels from 3.3V to 20V and are available in the SOIC-8 package. Typical applications include motor control, Uninterruptible Power Supplies (UPS), automotive applications, industrial power supplies, and solar inverters.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.