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FDMS3664S

Name: onsemi FDMS3664S
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS3664S
Price: 7.78 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDMS3664S

Fabricante N.º:

FDMS3664S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

Hoja de datos:

FDMS3664S Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/ 23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/ 7.78	S/ 7.78
	S/ 5.72	S/ 57.20
	S/ 3.91	S/ 391.00
	S/ 3.11	S/ 1,555.00
	S/ 2.76	S/ 2,760.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/ 2.76	S/ 8,280.00

† S/ 23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-56-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	13 A, 25 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8 mOhms, 2.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.1 V
Qg - Carga de puerta:	29 nC, 52 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.2 W, 2.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDMS3664S
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Peso de la unidad:	171 mg

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FDMS3664S Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Fairchild PowerTrench MOSFETs

FDMS366xS PowerTrench® Power Stage MOSFETs

onsemi's FDMS366xS PowerTrench® Power Stage MOSFETs include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses. Integration of the two MOSFETs enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.