TPN11003NL,LQ
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757-TPN11003NLLQ
TPN11003NL,LQ
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V
Hoja de datos:
En existencias: 3,391
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Existencias:
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En pedido:
-
3,000
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
12Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| S/ 5.29 | S/ 5.29 | |
| S/ 3.32 | S/ 33.20 | |
| S/ 2.18 | S/ 218.00 | |
| S/ 1.70 | S/ 850.00 | |
| S/ 1.54 | S/ 1,540.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000) | ||
| S/ 1.32 | S/ 3,960.00 | |
† S/ 23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
↩
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
