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LMG3526R030RQST

Name: Texas Instruments LMG3526R030RQST
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3526R030RQST
Price: 136.27 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-LMG3526R030RQST

Fabricante N.º:

LMG3526R030RQST

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv

Hoja de datos:

LMG3526R030RQST Hoja de datos

Modelo ECAD:

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S/-.--

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/136.27	S/136.27
	S/123.67	S/1,236.70
	S/118.12	S/2,953.00
	S/105.65	S/10,565.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	S/104.45	S/26,112.50
	S/96.49	S/48,245.00
1,000	Presupuesto

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tiempo de subida:	2.8 ns
Tiempo de caída:	22 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3526R030
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	US
País de origen:	PH
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Nombre comercial:	GaN

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3526R030 GaN FET with Integrated Driver

Texas Instruments LMG3526R030 GaN FET with Integrated Driver comes with protections and targets switch-mode power converters and enables designers to achieve new power density and efficiency levels. The LMG3526R030 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to control EMI and optimize switching performance actively.