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LMG3411R070RWHT

Name: Texas Instruments LMG3411R070RWHT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3411R070RWHT
Price: 87.08 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-LMG3411R070RWHT

Fabricante N.º:

LMG3411R070RWHT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR

Hoja de datos:

LMG3411R070RWHT Hoja de datos

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S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/87.08	S/87.08
	S/69.53	S/695.30
	S/65.15	S/1,628.75
	S/60.33	S/6,033.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	S/58.01	S/14,502.50
	S/55.94	S/27,970.00
1,000	Presupuesto

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
REACH - SVHC:
Producto:	MOSFET Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-32
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	12 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	9.5 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	18 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de subida:	2.9 ns
Tiempo de caída:	26 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3411R070
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de retardo de apagado máximo:	10 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	12 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	43 mA
Voltaje de salida:	5 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	36 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	70 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	GaN
Peso de la unidad:	188.200 mg

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PCN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Etapa de potencia GaN de 70 mΩ de 600 V LMG3410R070

La etapa de potencia GaN de 70 mΩ de 600 V LMG3410R070 de Texas Instruments con controlador y protección integrados ofrece ventajas con respecto a los MOSFET de silicio. Estas incluyen una capacitancia de entrada y salida ultrabaja. Las características incluyen la recuperación inversa nula que reduce las pérdidas de conmutación en un 80 %, y bajo nivel de repique de nodo de conmutación para reducir EMI.