LMG1210RVRR

Texas Instruments
595-LMG1210RVRR
LMG1210RVRR

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRT

Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 170
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/ 17.50 S/ 17.50
S/ 13.24 S/ 132.40
S/ 12.17 S/ 304.25
S/ 11.01 S/ 1,101.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/ 11.01 S/ 33,030.00
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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
S/ 27.22
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WQFN-19
2 Driver
2 Output
3 A
4.75 V
18 V
500 ps
500 ps
- 40 C
+ 125 C
LMG1210
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
País de ensamblaje: TH
País de difusión: US
País de origen: TH
Tipo lógico: TTL
Tiempo de retardo de apagado máximo: 18 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo: 18 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Tiempo apagado - Máx.: 18 ns
Corriente de suministro operativa: 380 uA
Voltaje de salida: 5 V
Tipo de producto: Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.: 20 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 400 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
Nombre comercial: GaN
Peso de la unidad: 26.800 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG1210 200V Half-Bridge MOSFET & GaN FET Drivers

Texas Instruments LMG1210 200V Half-Bridge MOSFET and Gallium Nitride Field Effect Transistor (GaN FET) Drivers are designed for ultra-high frequency and high-efficiency applications. The device is ideal for applications with adjustable deadtime capability, very small propagation delay, and 3.4ns high-side low-side matching to optimize system efficiency. The LMG1210 MOSFET and GaN FET Drivers offer an internal LDO, which ensures a gate-drive voltage of 5V regardless of the supply voltage.