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DRV8425EPWPR

Name: Texas Instruments DRV8425EPWPR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV8425EPWPR
Price: 8.39 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-DRV8425EPWPR

Fabricante N.º:

DRV8425EPWPR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 35V 2A bipolar step per or dual brushed

Hoja de datos:

DRV8425EPWPR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/ 8.39	S/ 20,975.00
	S/ 8.30	S/ 41,500.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición
RoHS:
Producto:	Stepper Motor Controllers / Drivers
Tipo:	Half Bridge
Corriente de salida:	2 A
Corriente de suministro operativa:	5 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HTSSOP-28
Empaquetado:	Reel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de salidas:	2 Output
Frecuencia de trabajo:	360 kHz
Tipo de producto:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie:	DRV8425E
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Voltaje de alimentación - Máx.:	33 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.5 V

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USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

DRV842xE/DRV842xP Dual H-Bridge Motor Drivers

Texas Instruments DRV842xE/DRV842xP Dual H-Bridge Motor Drivers are dual H-bridge motor drivers for a wide variety of industrial applications. The devices can be used for driving two DC motors or a bipolar stepper motor. The output stage of the driver consists of N-channel power MOSFETs configured as two full H-bridges, charge pump regulator, current sensing and regulation, and protection circuitry. The integrated current sensing uses an internal current mirror architecture, removing the need for a large power shunt resistor, saving board area, and reducing system cost. A low-power sleep mode is provided to achieve an ultra-low quiescent current draw by shutting down most of the internal circuitry. Internal protection features are provided for supply undervoltage lockout (UVLO), charge pump undervoltage (CPUV), output overcurrent (OCP), and device overtemperature (TSD).