CSD18543Q3AT

Texas Instruments
595-CSD18543Q3AT
CSD18543Q3AT

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3A

Modelo ECAD:
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Cinta cortada / MouseReel™
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N.º de artículo del Fabricante:
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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S/5.20
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
CSD18543Q3A
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Modo canal: Enhancement
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: CN
País de origen: CN
Tiempo de caída: 4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 40 S
Id - Corriente de drenaje continua: 12 A
Estilo de montaje: SMD/SMT
Número de canales: 1 Channel
Paquete / Cubierta: VSONP-8
Dp - Disipación de potencia : 66 W
Tipo de producto: MOSFETs
Qg - Carga de puerta: 11.1 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 12 mOhms
Tiempo de subida: 18 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Si
Nombre comercial: NexFET
Polaridad del transistor: N-Channel
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 8 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
Peso de la unidad: 27.700 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TI N-Channel 8-23-12


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