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CSD18533Q5AT

Name: Texas Instruments CSD18533Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18533Q5AT
Price: 10.32 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD18533Q5AT

Fabricante N.º:

CSD18533Q5AT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18533Q5A

Hoja de datos:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/10.32	S/10.32
	S/6.67	S/66.70
	S/3.98	S/398.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	S/3.98	S/995.00

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD18533Q5A

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/7.22

Mín.:

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Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD18533Q5A

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NexFET Pw r MSFT CSD18533Q5 A A 595-CSD18533Q5AT

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSONP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	29 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	116 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	2 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.5 ns
Serie:	CSD18533Q5A
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.2 ns
Peso de la unidad:	24 mg

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CNHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

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