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CSD18511KCS

Name: Texas Instruments CSD18511KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18511KCS
Price: 9.59 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD18511KCS

Fabricante N.º:

CSD18511KCS

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

Hoja de datos:

CSD18511KCS Hoja de datos

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	S/4.69	S/46.90
	S/4.18	S/418.00
	S/3.33	S/1,665.00
	S/2.94	S/2,940.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-220-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id - Continuous Drain Current:	194 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.5 V
Qg - Gate Charge:	64 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	188 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Tube
Brand:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Country of Assembly:	CN
Country of Diffusion:	CN
Country of Origin:	CN
Fall Time:	3 ns
Forward Transconductance - Min:	249 S
Product Type:	MOSFETs
Rise Time:	6 ns
Series:	CSD18511KCS
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategory:	Transistors
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	17 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8 ns
Peso de la unidad:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.