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CSD18501Q5A

Name: Texas Instruments CSD18501Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18501Q5A
Price: 11.95 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD18501Q5A

Fabricante N.º:

CSD18501Q5A

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET

Hoja de datos:

CSD18501Q5A Hoja de datos

Modelo ECAD:

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S/ -.--

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/ 23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/ 11.95	S/ 11.95
	S/ 7.91	S/ 79.10
	S/ 5.68	S/ 568.00
	S/ 4.86	S/ 2,430.00
	S/ 4.64	S/ 4,640.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/ 4.52	S/ 11,300.00

† S/ 23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSONP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	161 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.4 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Kit de desarrollo:	EVMX777BG-01-00-00, EVMX777G-01-20-00
Tiempo de caída:	3.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	118 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	CSD18501Q5A
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.7 ns
Peso de la unidad:	87.800 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

TI N-Channel 8-23-12

CSD1850xQ5A 40V N-Channel NexFET Power MOSFETs

Texas Instruments CSD1850xQ5A devices are 40V N-Channel NexFET Power MOSFETs that are designed to minimize losses in power conversion applications. TI CSD18501Q5A features R_DS(ON) Max @ VGS=4.5V of 4.3mΩ and R_DS(ON) Max @ VGS=10V of 3.2mΩ while CSD18503Q5A features R_DS(ON) Max @ VGS=4.5V of 6.2mΩ and R_DS(ON) Max @ VGS=10V of 4.3mΩ. CSD18504Q5A features R_DS(ON) Max @ VGS=4.5V of 9.8mΩ and R_DS(ON) Max @ VGS=10V of 6.6mΩ. Texas Instruments CSD1850xQ5A 40V N-channel NexFET Power MOSFETs are ideal for use in DC-DC conversion, secondary side synchronous rectifier, and battery motor control applications.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.