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CSD16415Q5T

Name: Texas Instruments CSD16415Q5T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16415Q5T
Price: 17.5 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD16415Q5T

Fabricante N.º:

CSD16415Q5T

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16415Q5

Hoja de datos:

CSD16415Q5T Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/ 23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/ 17.50	S/ 17.50
	S/ 11.52	S/ 115.20
	S/ 7.22	S/ 722.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	S/ 7.22	S/ 1,805.00
	S/ 6.84	S/ 3,420.00

† S/ 23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSON-CLIP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	21 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	156 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	TW
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	12.7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	168 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	30 ns
Serie:	CSD16415Q5
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16.6 ns
Peso de la unidad:	125 mg

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USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TI N-Channel 8-23-12

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.