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TSM170N06CP ROG

Name: Taiwan Semiconductor TSM170N06CP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM170N06CPROG
Price: 5.81 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM170N06CPROG

Fabricante N.º:

TSM170N06CP ROG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM170N06CP ROG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/ 5.81	S/ 5.81
	S/ 3.65	S/ 36.50
	S/ 2.42	S/ 242.00
	S/ 1.89	S/ 945.00
	S/ 1.72	S/ 1,720.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/ 1.50	S/ 3,750.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	15 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	46 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	7.9 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	24.2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	32.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.6 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM170N06CP
Peso de la unidad:	330 mg