STU10NM60N
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511-STU10NM60N
STU10NM60N
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
Hoja de datos:
En existencias: 2,998
-
Existencias:
-
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En pedido:
-
2,998
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
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Las cantidades superiores a 2998 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/ 17.24 | S/ 17.24 | |
| S/ 11.27 | S/ 112.70 | |
| S/ 8.82 | S/ 882.00 | |
| S/ 7.40 | S/ 3,700.00 | |
| S/ 6.84 | S/ 6,840.00 | |
| S/ 6.41 | S/ 19,230.00 |
Hoja de datos
PCN
- IPAK and Short IPAK in ECOPACK 2, graded Moulding Compound Assembly capacity expansion - Nantong Fujitsu Microelectronics (China) Subcontractor (PDF)
- MDmesh II Technology, Power MOSFET Transistors, 8" Wafer size Front-end Capacity Extension - Ang Mo Kio (Singapore) (PDF)
- PRODUCT CHANGE NOTIFICATION (PDF)
- Product Change Notification (PDF)
- Product Change Notification (PDF)
- Product Change Notification (PDF)
- STMicroelectronics - PCN 5-18-10 (PDF)
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
