STP26N60M2

STMicroelectronics
511-STP26N60M2
STP26N60M2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 15.01 S/ 15.01
S/ 9.80 S/ 98.00
S/ 7.65 S/ 765.00
S/ 6.45 S/ 3,225.00
S/ 5.59 S/ 5,590.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20 A
165 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
169 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: STP26N60M2
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99