STI4N62K3

STMicroelectronics
511-STI4N62K3
STI4N62K3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 17 Pwr MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 886

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 7.57 S/ 7.57
S/ 4.82 S/ 48.20
S/ 3.20 S/ 320.00
S/ 2.65 S/ 1,325.00
S/ 2.25 S/ 2,250.00
S/ 2.09 S/ 4,180.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
620 V
3.8 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3.75 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 19 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: STI4N62K3
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 29 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Peso de la unidad: 2.387 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99