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STGP10M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP10M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP10M65DF2
Price: 8.04 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGP10M65DF2

Fabricante N.º:

STGP10M65DF2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

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Hoja de datos:

STGP10M65DF2 Hoja de datos (PDF)

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	S/8.04	S/8.04
	S/5.12	S/51.20
	S/3.44	S/344.00
	S/2.73	S/1,365.00
	S/2.49	S/2,490.00
	S/2.35	S/4,700.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Serie:	STGP10M65DF2
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.