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STGB30H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGB30H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB30H65DFB2
Price: 12.21 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGB30H65DFB2

Fabricante N.º:

STGB30H65DFB2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package

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Hoja de datos:

STGB30H65DFB2 Hoja de datos (PDF)

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S/ -.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/ 23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/ 12.21	S/ 12.21
	S/ 7.91	S/ 79.10
	S/ 5.63	S/ 563.00
	S/ 4.69	S/ 2,345.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/ 4.06	S/ 4,060.00

† S/ 23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.65 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	50 A
Dp - Disipación de potencia :	167 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	1.380 g

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.