STF18NM60N

STMicroelectronics
511-STF18NM60N
STF18NM60N

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh

Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 15.31 S/ 15.31
S/ 7.83 S/ 78.30
S/ 7.10 S/ 710.00
S/ 5.81 S/ 2,905.00
S/ 5.50 S/ 5,500.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
13 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 40 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 22 ns
Serie: STF18NM60N
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99