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STF10LN80K5

Name: STMicroelectronics STF10LN80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF10LN80K5
Price: 15.91 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STF10LN80K5

Fabricante N.º:

STF10LN80K5

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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	S/7.35	S/735.00
	S/6.32	S/3,160.00
	S/5.46	S/5,460.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	630 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	15 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	25 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	13 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	STF10LN80K5
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11.8 ns
Peso de la unidad:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STF10LN80K5 MDmesh™ Power MOSFET

STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™ Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology. This technology is based on an innovative proprietary vertical structure that reduces on-resistance and ultra-low gate charge for various applications. This STF10LN80K5 Power MOSFET has a built-in Zener diode that enhances the Electrostatic Discharge (ESD) performance of the device. The Zener voltage of the device eliminates the need for additional external componentry by facilitating cost-effective device integrity protection. The STF10LN80K5 Power MOSFET is ideal for switching applications.

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.