STDRIVEG612Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG612Q
STDRIVEG612Q

Fabricante:

Descripción:
STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
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Mínimo: 4900   Múltiples: 4900
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S/-.--
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Cantidad Precio unitario
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S/7.87 S/38,563.00

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Reel, Cut Tape
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En existencias
Precio:
S/22.23
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: STMicroelectronics
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TH
Empaquetado: Tray
Cantidad de empaque de fábrica: 4900
Nombre comercial: STDRIVE
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STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.