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STDRIVEG210Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG210Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG210Q
Price: 11.44 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STDRIVEG210Q

Fabricante N.º:

STDRIVEG210Q

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Controladores de puertas High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

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	S/11.44	S/11.44
	S/8.56	S/85.60
	S/7.83	S/195.75
	S/7.01	S/701.00
	S/6.62	S/1,655.00
	S/6.36	S/3,116.40
	S/6.15	S/6,027.00
	S/5.85	S/17,199.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-18
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Corriente de salida:	1.05 A, 2.4 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	9.2 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	18 V
Tiempo de subida:	22 ns
Tiempo de caída:	11 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Voltaje de entrada - Máx.:	20 V
Voltaje de entrada - Mín.:	3 V
Tiempo de retardo de apagado máximo:	60 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	60 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	920 uA
Voltaje de salida:	220 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	60 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7 Ohms
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	490
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.

STDRIVEG210 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG210 Half-Bridge Gate Drivers are designed for N‑channel enhancement mode GaN, and the high-side driver section can withstand a voltage rail up to 220V. These drivers feature high current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs. This makes them optimized for driving high-speed GaN. The STDRIVEG210 half-bridge gate drivers feature supply UVLOs tailored to fast startup and low-consumption soft-switching applications. The high-side regulator is characterized by a very short wake-up time to maximize the application efficiency during intermittent operation (burst mode). These drivers offer an extended range for input pins that allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows for reducing the power consumption during inactive periods or burst mode. Applications include DC/DC, AC/DC, resonant converters, synchronous rectification, UPS, adapters, LED lighting, and USB-C.