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SH63N65DM6AG

Name: STMicroelectronics SH63N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SH63N65DM6AG
Price: 107.93 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-SH63N65DM6AG

Fabricante N.º:

SH63N65DM6AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 200)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/107.93	S/107.93
	S/82.95	S/829.50
	S/54.18	S/5,418.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 200)
	S/54.18	S/10,836.00
	S/51.60	S/20,640.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	ACEPACK SMIT-9
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	53 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	64 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.75 V
Qg - Carga de puerta:	80 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	424 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AQG 324
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	200
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	68 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	28 ns
Peso de la unidad:	8.200 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SH63N65DM6AG Power MOSFET

STMicroelectronics SH63N65DM6AG Power MOSFET is an automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑bridge topology power MOSFET offering 650V blocking voltage. This power MOSFET is AQG 324 qualified and comes in an ACEPACK SMIT low inductance package. The SH63N65DM6AG power MOSFET features very low switching energies, low thermal resistance, and a 3.4kV_rms/min isolation rating. This power MOSFET has a dice-on Direct Bond Copper (DBC) substrate that helps the package offer low thermal resistance coupled with an isolated top-side thermal pad. The SH63N65DM6AG MOSFET comes in a package with high design flexibility enabling several configurations, including phase-legs, boost, and single-switch through different combinations of internal power switches. This power MOSFET is ideal for switching applications.