SCTWA90N65G2V-4
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511-SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4
Fabricante:
Descripción:
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos:
En existencias: 101
-
Existencias:
-
101 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 101 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/125.22 | S/125.22 | |
| S/94.64 | S/946.40 | |
| S/90.60 | S/9,060.00 | |
| 600 | Presupuesto |
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