MASTERGAN5

STMicroelectronics
511-MASTERGAN5
MASTERGAN5

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power

Modelo ECAD:
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En existencias: 162

Existencias:
162 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 162 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 31.09 S/ 31.09
S/ 23.99 S/ 239.90
S/ 22.23 S/ 555.75
S/ 20.08 S/ 2,008.00
S/ 19.22 S/ 4,805.00
S/ 17.89 S/ 8,945.00
S/ 16.21 S/ 16,210.00
S/ 15.74 S/ 39,350.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
4 Output
4 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TH
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: Gate Drivers
Apagado: Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica: 1560
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.