MASTERGAN1

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1
MASTERGAN1

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 374

Existencias:
374 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 50.48 S/ 50.48
S/ 39.39 S/ 393.90
S/ 38.01 S/ 950.25
S/ 34.23 S/ 3,423.00
S/ 32.98 S/ 8,245.00
S/ 31.69 S/ 15,845.00
S/ 27.99 S/ 27,990.00
2,500 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TH
Kit de desarrollo: EVALMASTERGAN1
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 680 uA
Tipo de producto: Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 330 mOhms
Apagado: Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica: 1560
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Peso de la unidad: 120 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.