71V416S12BEG

Name: Renesas Electronics 71V416S12BEG
Brand: Renesas Electronics
SKU: 972-71V416S12BEG
Price: 40.16 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

972-71V416S12BEG

Fabricante N.º:

71V416S12BEG

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS Tamaño de memoria RAM (SRAM)

Hoja de datos:

71V416S12BEG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/ 40.16	S/ 10,040.00
	S/ 39.30	S/ 19,650.00
	S/ 38.53	S/ 38,530.00
2,500	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	256 k x 16
Tiempo de acceso:	12 ns
Tipo de interfaz:	Parallel
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Corriente de suministro - Máx.:	180 mA
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	CABGA-48
Empaquetado:	Tray
Marca:	Renesas Electronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tipo de memoria:	SDR
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Serie:	71V416S12
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	Asynchronous
Alias de las piezas n.º:	IDT71V416S12BEG 71V416

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232019
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.a

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.