RMP4N60T2

Rectron
583-RMP4N60T2
RMP4N60T2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 MOSFET

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 3000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 1.25 S/ 3,750.00
S/ 1.15 S/ 5,750.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Rectron
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
4 A
2.5 Ohms
- 30 V, 30 V
2 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
100 W
Enhancement
Tube
Marca: Rectron
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Tiempo de caída: 38 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 4 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 48 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 48 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 16 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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