RM4N700IP

Rectron
583-RM4N700IP
RM4N700IP

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-251 MOSFET

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 1600   Múltiples: 800
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 1.90 S/ 3,040.00
S/ 1.76 S/ 4,224.00
S/ 1.68 S/ 9,408.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Rectron
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
700 V
4 A
1.4 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
46 W
Enhancement
Tube
Marca: Rectron
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Tiempo de caída: 8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 4 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 3 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 48 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 6 ns
Peso de la unidad: 340 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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