RM3A6N30S2

Rectron
583-RM3A6N30S2
RM3A6N30S2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-23 MOSFET

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 12000   Múltiples: 3000
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/0.267 S/3,204.00
S/0.245 S/5,880.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Rectron
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
30 V
3.6 A
73 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.7 W
Enhancement
Reel
Marca: Rectron
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Tiempo de caída: 20 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 11 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 50 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 10 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Peso de la unidad: 8 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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