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SCT3030AW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT3030AW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3030AW7TL
Price: 133.43 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SCT3030AW7TL

Fabricante N.º:

SCT3030AW7TL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC TO263 650V 70A N-CH SIC

Hoja de datos:

SCT3030AW7TL Hoja de datos

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	S/ 133.43	S/ 133.43
	S/ 124.01	S/ 1,240.10
	S/ 120.01	S/ 12,001.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/ 120.01	S/ 120,010.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	70 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	39 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	104 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	267 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	21 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9.4 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	22 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	27 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	SCT3030AW7
Peso de la unidad:	1.600 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure to reduce ON resistance by 50% and input capacitance by 35% over planar-type SiC MOSFETs. The MOSFETs include an additional pin that separates the driver and power source pins, eliminating the inductance component's effects in reducing Vgs, ensuring faster switching speeds. The ROHM Semiconductor Trench-Type MOSFETs feature a high voltage resistance, low ON resistance, fast switching speed, simple to drive, and easy to parallel.