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RGS50TSX2HRC11

Name: ROHM Semiconductor RGS50TSX2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS50TSX2HRC11
Price: 41.32 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RGS50TSX2HRC11

Fabricante N.º:

RGS50TSX2HRC11

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive

Hoja de datos:

RGS50TSX2HRC11 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/41.32	S/41.32
	S/24.60	S/246.00
	S/21.72	S/2,172.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247N-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.1 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	30 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	50 A
Dp - Disipación de potencia :	395 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Corriente de fuga puerta-emisor:	500 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	IGBTs
Alias de las piezas n.º:	RGS50TSX2HR

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RGS Field Stop Trench Automotive IGBTs

ROHM Semiconductor RGS Field Stop Trench Automotive IGBTs are AEC-Q101-rated automotive IGBTs available in 1200V and 650V variants. These IGBTs deliver class-leading low conduction loss that reduces the size and improves the efficiency of applications. The RGS IGBTs utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help to achieve low collector-emitter saturation voltage (V_CE(sat)) with reduced switching losses. ROHM Semiconductor RGS IGBTs provide increased energy savings in various high voltage and high current applications.

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.