Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

MSC017SMA120B

Name: Microchip MSC017SMA120B
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC017SMA120B
Price: 200.21 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

579-MSC017SMA120B

Fabricante N.º:

MSC017SMA120B

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247

Hoja de datos:

MSC017SMA120B Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Microchip Technology MSC017SMA120B

En existencias: 61

Existencias:: 61 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 2 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/ -.--

Precio ext.:

S/ -.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/ 200.21	S/ 200.21
	S/ 184.60	S/ 5,538.00
	S/ 160.65	S/ 19,278.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	113 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	22 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	455 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	US
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	51 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	29 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MSC017SMA120B Hoja de datos (PDF)

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MSC017SMA120x Silicon Carbide N-Ch Power MOSFETs

Microchip Technology MSC017SMA120x Silicon Carbide N-Ch Power MOSFETs increase the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost in high-voltage applications. The Microchip MSC017SMA120x SiC MOSFETs provide high efficiency to enable a lighter, more compact system with improved thermal capabilities and lower switching losses.