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MSC010SDA070S

Name: Microchip MSC010SDA070S
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC010SDA070S
Price: 11.52 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

579-MSC010SDA070S

Fabricante N.º:

MSC010SDA070S

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC SBD 700 V 10 A TO-268

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Hoja de datos:

MSC010SDA070S Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/ 11.52	S/ 3,110.40

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-268-3
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	24 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	700 V
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	58 A
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Dp - Disipación de potencia :	83 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	700 V

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.