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MSJP20N65-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MSJP20N65-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MSJP20N65-BP
Price: 25.16 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-MSJP20N65-BP

Fabricante N.º:

MSJP20N65-BP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650Vds 30Vgs 20A 60A 151W

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/ 25.16	S/ 25.16
	S/ 14.53	S/ 145.30
	S/ 13.20	S/ 1,320.00
	S/ 12.13	S/ 6,065.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	170 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	39 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	151 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	44 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	59 ns
Serie:	MSJP20N65
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	121 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Super Junction MosFETs

Micro Commercial Components (MCC) Super Junction MosFETs are designed for primary side applications. The HV MosFETs use a multi-epi process, allowing a better EMI performance. The MCC Super Junction MosFETs feature maximum currents of up to 11A and 20A at R_DSon values of 380MΩ and 170mΩ, with voltage up to 650V. The Super Junction MosFETs are available in through-hole (TO-247(20A), TO-220, TO-220F) and surface mount (DFN(11A), DPAK) packages.