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WST4100D-GP4

Name: MACOM WST4100D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 937-WST4100D-GP4
Price: 970.34 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

937-WST4100D-GP4

Fabricante N.º:

WST4100D-GP4

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	84 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	440 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 2 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	20.8 dB
Potencia de salida:	30.2 W
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN, SiC
Tipo:	GaN on SiC Transistor

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USHTS:: 8541290040
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.