Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

LS5911-SOIC-8L-A-TB

Name: Linear Integrated Systems LS5911-SOIC-8L-A-TB
Brand: Linear Integrated Systems
SKU: 722-LS5911SOIC8LATB
Price: 53.75 PEN
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

722-LS5911SOIC8LATB

Fabricante N.º:

LS5911-SOIC-8L-A-TB

Fabricante:

Linear Integrated Systems

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET

Hoja de datos:

LS5911-SOIC-8L-A-TB Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Linear Integrated Systems LS5911-SOIC-8L-A-TB

Disponibilidad

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: Solicitar cotización de entrega

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/ -.--

Precio ext.:

S/ -.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/ 53.75	S/ 53.75
	S/ 43.77	S/ 437.70
	S/ 36.46	S/ 3,463.70
	S/ 32.47	S/ 18,507.90
	S/ 30.36	S/ 31,726.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Linear Integrated Systems
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Dual
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	- 25 V
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 25 V
Voltaje de corte puerta-fuente:	- 5 V
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0:	40 mA
Id - Corriente de drenaje continua:	5 mA
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	LS5911
Empaquetado:	Tube
Marca:	Linear Integrated Systems
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Transconductancia hacia delante - Mín.:	7000 uS
Voltaje máximo drenaje-puerta:	10 V
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	95
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	73 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

LS5911-SOIC-8L-A-TB Hoja de datos (PDF)

Other

Linear Systems Date Code Policy (PDF)

CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Low Noise Dual N-Channel JFETs

Linear Integrated Systems Low Noise Dual N-Channel JFETs are wideband, high gain, monolithic dual, N-channel JFETs. The low-noise JFETs are improved pin-for-pin replacements for the Fairchild, Motorola, National, and Siliconix-Vishay 2N5911 series. The devices are housed in TO-71 6L, TO-78 7L, PDIP 8L, SOIC 8L, and SOT-23 6L packages and in die form.