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IPD90P03P404ATMA2

Name: Infineon IPD90P03P404ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD90P03P404ATM2
Price: 10.62 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPD90P03P404ATM2

Fabricante N.º:

IPD90P03P404ATMA2

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Hoja de datos:

IPD90P03P404ATMA2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/ 10.62	S/ 10.62
	S/ 7.10	S/ 71.00
	S/ 4.99	S/ 499.00
	S/ 4.22	S/ 2,110.00
	S/ 3.97	S/ 3,970.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/ 3.78	S/ 9,450.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	90 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	100 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	137 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	IPD90P03P4-04 SP002319826
Peso de la unidad:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.