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AIMZA75R007M2HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R007M2HXK
Price: 154.03 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-AIMZA75R007M2HXK

Fabricante N.º:

AIMZA75R007M2HXKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

AIMZA75R007M2HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

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	S/154.03	S/154.03
	S/126.03	S/1,260.30
	S/111.37	S/11,137.00
1,000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	PG-TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	172 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 11 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	169 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	263 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	78 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Power MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	18 ns
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	CoolSiC Automotive Power Device
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Alias de las piezas n.º:	AIMZA75R007M2H SP006113236

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AIMZA75R007M2HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.