IXTY1R4N120P

IXYS
747-IXTY1R4N120P
IXTY1R4N120P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.4 Amps 1200V 15 Rds

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,211

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 21.76 S/ 21.76
S/ 10.84 S/ 108.40
S/ 9.85 S/ 689.50
S/ 9.25 S/ 5,180.00
S/ 9.12 S/ 9,576.00
S/ 8.00 S/ 20,160.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
1.4 A
15 Ohms
- 30 V, 30 V
4.5 V
24.8 nC
- 55 C
+ 150 C
86 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 70
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 330 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99