IXTP3N120

IXYS
747-IXTP3N120
IXTP3N120

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

Modelo ECAD:
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En existencias: 846

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 37.97 S/ 37.97
S/ 22.23 S/ 222.30
S/ 20.47 S/ 2,047.00
S/ 18.15 S/ 9,075.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
3 A
4.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
200 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 18 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 1.5 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 15 ns
Serie: IXTP3N120
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 32 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541500000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99