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IXTP3N100P

Name: IXYS IXTP3N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP3N100P
Price: 24.34 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTP3N100P

Fabricante N.º:

IXTP3N100P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1000V 4.8 Rds

Hoja de datos:

IXTP3N100P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/ 24.34	S/ 24.34
	S/ 15.01	S/ 150.10
	S/ 11.40	S/ 1,140.00
	S/ 9.46	S/ 4,730.00
	S/ 9.03	S/ 9,030.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	39 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	Polar
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	29 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27 ns
Serie:	IXTP3N100
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	75 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns
Peso de la unidad:	2 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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